Oforts
1) Dodieties uz BSG
Silīcija vafeles tiek mazgātas ķēdes tīrīšanas mašīnā, peldot uz ūdens (ar aizmuguri saskarē ar skābes šķīdumu), lai noņemtu BSG no aizmugures. Skābes šķīduma galvenā sastāvdaļa ir 24,5% HF, un galvenais ķīmiskās reakcijas vienādojums ietver:
HF+SiO2→SiF4+H2O
SiF4+HF→H2SiF6
Pēc mazgāšanas ar ūdeni un žāvēšanas ar vēja nazi tas nonāk nākamajā procesā. BSG tīrīšanas mašīnas aprīkojums ir daļēji noslēgta ierīce, kas ietver skābes tvertni, tīra ūdens tīrīšanas tvertni un inducētas vilkmes sistēmu, lai radītu mikro negatīva spiediena vidi iekārtā un savāktu gaistošas gāzes.
Galvenais piesārņojums šajā procesā ir skābās izplūdes gāzes (G4), kas satur HF, kas tiek savākts pa cauruļvadiem un nosūtīts attīrīšanai uz skābo izplūdes gāzu attīrīšanas torni. Augstas koncentrācijas skābie notekūdeņi, kas satur fluorūdeņražskābi (W10) un vispārējie skābie notekūdeņi (W11).
2) Muguras kodināšana
Lai uzlabotu silīcija vafeles aizmugures atstarošanos, silīcija vafeles aizmugure ir pulēta ar sārmu un pulēšanas līdzekli.
Sārmu pulēšanas sadaļā (6 rindas) ir iekļauti tādi moduļi kā iepriekšēja tīrīšana, mazgāšana ar ūdeni, sārmu pulēšana * 2, tīrīšana ar ūdeņraža peroksīdu (rezervēta), mikro samta tīrīšana (rezervēta), tīrīšana ar tīru ūdeni, pēctīrīšana, tīrīšana ar tīru ūdeni, mazgāšana ar skābi * 2, mazgāšana ar tīru ūdeni pēc skābes mazgāšanas, lēna vilkšana pirms dehidratācijas, žāvēšana * 5 utt. Viss aizmugures kodināšanas process tiek veikts automātiski, izmantojot pārneses sviru, lai nosūtītu iepriekš notīrītu silīcija vafeles uz sārmu pulēšanas mašīnas padeves zonu. Silīcija vafeles caur rullīšiem iziet cauri dažādām korozijas un tīrīšanas tvertnēm automātiskajā slēgtajā sārmu pulēšanas mašīnā. Iekārta automātiski kontrolē skābes, sārma šķīduma un tīra ūdens papildināšanu katrā modulī. Skābes un sārmu šķīdums tvertnē tiek iesūknēts pa cauruļvadiem, un notekūdeņi tvertnē tiek regulāri izvadīti.
3) Iepriekšēja tīrīšana
Pēc apstrādes silīcija vafele nonāk tīrīšanas tvertnē, lai noņemtu atlikušās organiskās vielas un nodrošinātu silīcija vafeles virsmas tīrību, tādējādi zināmā mērā uzlabojot akumulatora pārveidošanas efektivitāti. Iegremdējiet ielādētās silīcija vafeles priekštīrīšanā, pievienojiet tvertnē tīru ūdeni un pievienojiet atbilstošu daudzumu NaOH šķīduma vai tīrīšanas šķīduma (paredzams, ka NaOH koncentrācija būs {{0}},39%, H2O2 koncentrācija ir paredzams, ka tas būs 0,61%) atbilstoši augstas temperatūras tīrīšanas koeficientam (60 grādi). Pēc iepriekšējas tīrīšanas veiciet tīrīšanu ar ūdeni. Tīrīšana ar ūdeni ir visa tīrīšana ar pārplūdi, iegremdējot, kas tiek veikta istabas temperatūrā 100 sekundes.
4) Sārmu pulēšana un mazgāšana
Sārmainās pulēšanas tvertne ir aprīkota ar tīru ūdeni, un tam tiek pievienots atbilstošs daudzums NaOH šķīduma un pulēšanas piedevas (NaOH šķīdums ir aptuveni 1,6%, pulēšanas līdzekļa koncentrācija ir 0,97%). Pēc tam silīcija vafeles aizmugurējā virsma tiek pulēta 65 grādu darba temperatūrā. Pirms skalošanas ar tīru ūdeni nomazgājiet ar sārmu. Ķīmiskās reakcijas, kas notiek sārmu izmešanas procesā, ir šādas:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
Sārmu mazgāšanas tvertnes darba temperatūra ir 65 grādi, un sārmu mazgāšanas laiks tiek kontrolēts līdz 220 sekundēm.
5) Pēctīrīšana un mikro samta ražošana
Ielejiet tvertnē tīru ūdeni un pievienojiet atbilstošu daudzumu NaOH šķīduma un ūdeņraža peroksīda (NaOH šķīdums aptuveni {{0}},55%, ūdeņraža peroksīda koncentrācija 0,25%) atbilstoši attiecībai tīrīšanai istabas temperatūrā. Pēc tīrīšanas veiciet tīrīšanu ar ūdeni.
Ķīmiskās reakcijas, kas notiek mikro samta procesa laikā, ir šādas:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
6) Skābes mazgāšana
Pēc pēctīrīšanas augstas tīrības pakāpes tīrīšanai jāizmanto atšķaidīts skābes šķīdums ({0}},9% HCl un 0,23% HF). HCl funkcija ir neitralizēt atlikušo NaOH, savukārt HF funkcija ir noņemt oksīda slāni uz silīcija vafeles virsmas, padarot to hidrofobāku un veidojot silīcija kompleksu H2SiF6. Kompleksējot ar metāla joniem, metāla joni tiek atdalīti no silīcija vafeles virsmas, samazinot metāla jonu saturu un sagatavojoties difūzajai saitei. Pēc mazgāšanas ar skābi notīriet ar tīru ūdeni.
Ķīmiskās reakcijas, kas notiek kodināšanas procesā, ir šādas:
HCl+NaOH=NaCl+H2O
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
Kodināšanas tvertnes darba temperatūra ir istabas temperatūrā, un kodināšanas laiks tiek kontrolēts 100 sekundēs.
7) Žāvēšana
Pārnesiet lēni izvilkto iepriekš dehidrētā kristāliskā silīcija vafeles uz žāvēšanas tvertni un izpūtiet karstu gaisu 90 grādu leņķī uz augšu un uz leju uz vafeles žāvēšanai, izmantojot elektrisko apkuri.
Iepriekš minētajā aizmugurējā kodināšanas procesā pirmstīrīšanas, sārmu pulēšanas un pēctīrīšanas procesos tiek iegūti augstas koncentrācijas sārmaini notekūdeņi, kas satur nātrija hidroksīdu (W12, W14, W16) un vispārīgi sārmaini tīrīšanas notekūdeņi (W13, W15, W17). Skābes mazgāšanas procesā rodas augstas koncentrācijas skābie notekūdeņi, kas satur sālsskābi un fluorūdeņražskābi (W18) un vispārējie skābie tīrīšanas notekūdeņi (W19, W20). Iepriekš minētā darbība tiek veikta slēgtā sārmu izmešanas mašīnā. Skābās mazgāšanas process iztvaiko un veidos skābās atgāzes (G5), kas satur HCl un HF, kas tiks savāktas pa cauruļvadiem un nosūtītas attīrīšanai uz skābo atgāzu mazgāšanas torni.
POPAID nogulsnēšanās in situ dopings
POPAID process ir galvenais paņēmiens plākšņu pārklājumu sagatavošanai, integrējot tuneļa oksīda slāņus un leģētus kristāliskā silīcija slāņus.
Pirmkārt, silīcija vafele atmosfēras apstākļos nonāk iekraušanas kamerā, tiek transportēta uz 300 grādu priekšsildīšanas kameru un pēc tam nonāk PO procesa kamerā. Šajā laikā O2 caur traheju tiek transportēts uz gāzes atdalīšanas bloku, un to aktivizē RF barošanas avots, lai jonizētu. Joni oksidējas uz silīcija vafeles virsmas, veidojot tuneļa oksīda slāni; Pēc tam silīcija plāksne iziet cauri pārejas un bufera kamerai un tiek pārnesta uz maksas kameru. Apmaksātais avots nogulsnē noteikta biezuma amorfo silīciju pamatnes aizmugurē, un nogulsnēšanas procesā tiek ievadīta PH3 gāze. Gāzveida fosfīns nonāk iekārtā un tiek ierosināts fosfora jonu stāvoklī ar 10 kev un 0.{5}} kev augstsprieguma radio frekvenci. Starp jonu avotu un zemi tiek pievienots līdzstrāvas augstspriegums, lai fosfora joni iegūtu enerģiju caur augstsprieguma elektrisko lauku. Sijas platums ir 420 mm, un pēc tam silīcija vafele tiek pārnesta uz sijas apakšu. Procesa laikā, kad maksas avota atomi lido uz substrāta pusi, tie nes P jonus vai reaģē ar P joniem, lai panāktu in situ fosfora dopingu.
Galvenais reakcijas vienādojums ir: PO+PAID＝POPAID
Plazmas oksidēšana (PO): SiH4+O2 → SiO2
Plazmas asistēts in situ dopings (MAKSĀTS): Si (avots) + PH3 → n-Si
Pēc reakcijas pabeigšanas tiek izpūsts slāpeklis un jons tiek ievadīts autonomajā adsorbentā ar apstrādes efektivitāti līdz 100%. Fosfīna koncentrācija pirms iekļūšanas adsorbcijas tornī ir 179,05 ppm, un pēc adsorbcijas PH3 netiek konstatēts. Šajā projektā ir paredzēts savienot šīs izplūdes gāzes ar DA003 izplūdes gāzu torni attīrīšanai un pēc tam to novadīt. Vienlaikus uzņēmums plāno uzstādīt automātisko signalizāciju par fosfora noplūdi ar noteikšanas robežu 0,1mg/m3.
Piesārņojuma ražošanas procesu analīze: Galvenie piesārņojuma procesi šajā procesā ir procesa laikā ievadītie Ar, PH3 un N2, kas tiek savākti pa tam paredzētām caurulēm un nosūtīti attīrīšanai uz skābju atgāzu attīrīšanas torni.